深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段。根據半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有較高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。
Semetrol DLTS集成多種自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界面態速度快，精度高，是生產和科研中可廣為應用的測試技術．

深能級瞬態譜儀主要特點 :
• 自動連線檢測；
• 自動電容補償功能；
• 探測靈敏度高
• 瞬態電流測量；
• 深能級瞬態譜分析；

深能級瞬態譜儀應用領域 :
•檢測Si、ZnO、GaN等半導體材料中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。

Semetrol DLTS系統配置:
- 脈沖發生器
電壓范圍： ±10 V (±102 V opt.)
脈沖寬度：1 µs - 1000 s
- 電容測量
高頻信號:    50KHz
電容范圍 ：1pF-100nF

靈敏度：1 fF
-電壓測量：
范圍 ±10 V
靈敏度 < 1 µV

溫度范圍：30K~700K
電阻范圍：0.1 mOhm - 10 GOhm

多種測量模式可選：
C-DLTS（電容模式）

O-DLTS （光激發模式）

I-DLTS （電流模式）

DD-DLTS （雙關聯模式）

Zerbst-DLTS （Zerbst模式）

FET-Analysis （FET分析）

MOS-Analysis （MOS分析）

ITS (等溫瞬態譜)

Trap profiling

CCSM（俘獲截面測量）

I/V,I/V(T) （查理森Plot分析）

C/V, C/V(T)

TSC/TSCAP

PITS (光子誘導瞬態譜)

DLOS (特殊系統）